Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type

Abstract

Electrical properties (resistivity and temperature coefficient of resistivity) of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ solid solutions are studied using the model coatings deposited on mica substrate. Analysis of temperature dependences of the resistivity reveals that YGa₂ compound as well as the solid solutions on its base possess a metallic conductivity. Substitution of a certain part of the gallium atoms in YGa₂ compound belonging to AlB₂-type structure with germanium, silicon or aluminium atoms leads to decrease of resistivity in the Ga → Ge → Si → Al series that may be caused by both the nature of atoms themselves and technological parameters of coatings’ preparation (primarily, by their homogeneity).

Электрические свойства (электросопротивление и температурный коэффициент электросопротивления) твёрдых растворов Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ и Y(Ga,Ge)₂ исследованы с использованием модельных покрытий соответствующих сплавов на слюде. Анализ температурных зависимостей электросопротивления показал, что как соединению YGa₂, так и твёрдым растворам на его основе присущ металлический тип проводимости. Замещение определённой части атомов галлия в соединении YGa₂, которое относится к типу AlB₂, атомами германия, кремния или алюминия приводит к уменьшению электросопротивления в ряду Ga → Ge → Si → Al, что может быть обусловлено как природой самих атомов, так и технологическими особенностями изготовления покрытий (прежде всего, их гомогенностью).

Електричні властивості (електроопір і температурний коефіцієнт електроопору) твердих розчинів Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ та Y(Ga,Ge)₂ досліджено з використанням модельних покриттів відповідних стопів на слюді. Аналіза температурних залежностей електроопору показала, що як сполука YGa₂, так і тверді розчини на її основі мають металічну провідність. Заміщення певної частини атомів Ґалію в сполуці YGa₂, що належить до структури типу AlB₂, на атоми Ґерманію, Силіцію або Алюмінію приводить до зменшення електроопору в ряду Ga → Ge → Si → Al, що може бути зумовлено як природою самих атомів, так і технологічними особливостями одержання покриттів (перш за все, їх гомогенністю).