Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorProkopenko, I.V.
dc.contributor.authorKislovskii, E.N.
dc.contributor.authorOlikhovskii, S.I.
dc.contributor.authorTkach, V.M.
dc.contributor.authorLytvyn, P.M.
dc.contributor.authorVladimirova, T.P.
dc.date.accessioned2017-06-13T16:25:38Z
dc.date.available2017-06-13T16:25:38Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractWe used X-ray diffraction method of total rocking curves and nondestructive direct observation techniques (atomic force and scanning electron microscopies) to quantitatively determine the defect characteristics (radii and concentrations) for the main types of defects in Czochralski-grown silicon single crystals annealed at 750 °С.uk_UA
dc.identifier.citationComprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals / I.V. Prokopenko, E.N. Kislovskii, S.I. Olikhovskii, V.M. Tkach, P.M. Lytvyn, T.P. Vladimirova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 275-281. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 61.10.Eq; 61.71.Ff, 61.72.Ji, 61.72.Nn, 61.72.Qq
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121174
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleComprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
02-Prokopenko.pdf
Розмір:
405.17 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, № 3