Полупроводниковые свойства наномолекулярного слоя ДНК

dc.contributor.authorДжелали, В.В.
dc.contributor.authorВолянский, А.Ю.
dc.date.accessioned2016-04-18T07:06:40Z
dc.date.available2016-04-18T07:06:40Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractНайдены фундаментальные параметры полупроводниковых нанослоев ДНК, адсорбированных на поверхности металлических электродов. Открыты два новых явления – полупроводниковые свойства индифферентных фоновых растворов электролитов в электрическом поле ДЭС высокой напряженности и полупроводниковый характер фарадеевской емкости, обусловленный туннелированием электронов через молекулярную структуру ДНК, находящуюся в ДЭС и обладающую полупроводниковой проводимостью. Обнаружен новый класс электрохимических реакций, протекающих в жидкой фазе ДЭС и обусловленных наличием переходов полупроводник +ne полупроводник* .uk_UA
dc.description.abstractЗнайдено фундаментальні параметри напівпровідникових наношарів ДНК, адсорбованих на поверхні металевих електродів. Відкрито два нових явища – напівпровідникові властивості індиферентних фонових розчинів електролітів в електричному полі ДЕС високої напруженості і напівпровідниковий характер фарадеєвської ємності зумовлений тунелерованням електронів через молекулярну структуру ДНК, яка знаходиться в ДЕС яка має напівпровідникову провідністю. Виявлено новий клас електрохімічних реакцій, що протікають у рідкій фазі ДЕС і зумовлених наявністю переходів напівпровідник +ne напівпровідник* .uk_UA
dc.description.abstractThe fundamental parameters of semiconductor nanolayers of DNA, adsorbed on-the-spot metallic electrodes are found. Two new phenomena are discovered: are semiconductor properties of indif-ferent base-line solutions of electrolytes in the electric field of high tension double lauer (DEL) and semiconductor character of Faraday capacity conditioned of electrons through the molecular structure of DNA being in DEL and possessing semiconductor conductivity. Found out the new class of electrochemical reactions in the DEL – liquid phase and based on transitions conditioned between semiconductor + ne semiconductor*uk_UA
dc.identifier.citationПолупроводниковые свойства наномолекулярного слоя ДНК / В.В. Джелали, А.Ю. Волянский // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 172–185. — Бібліогр.: 66 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1999-8074
dc.identifier.udc544.6 + 541.138.3: 539.2: 539.216
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98829
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизическая инженерия поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleПолупроводниковые свойства наномолекулярного слоя ДНКuk_UA
dc.title.alternativeНапівпровідникові властивості наномолекулярного шару ДНКuk_UA
dc.title.alternativeSemiconductor properties of nanomolekuar layer of DNAuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
6- Jelali.pdf
Розмір:
372.12 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: