Влияние температуры, магнитного поля и высоких гидростатических давлений на сопротивление и магниторезистивный эффект в керамике и пленке лазерного напыления La ₀,₉Mn₁,₁O₃±δ

Abstract

Рентгеностpуктуpным, магнитным и резистивным методами исследовали влияние напряженности магнитного поля (H=0; 2; 4; 6; 8 кЭ), высоких гидростатических давлений (P=0-1,8 ГПа) и темпеpатуpы (T=77-300 К) на удельное сопротивление r, магниторезистивный эффект (DR/R0) и темпеpатуpы фазовых переходов в керамических и тонкопленочных манганит-лантановых образцах La ₀,₉Mn₁,₁O₃±δ Установлено, что с увеличением Н и Р уменьшается сопротивление и увеличиваются темпеpатуpы фазового перехода металл-полупроводник (Tms) и пика магниторезистивного эффекта (Tp). Различия в удельных сопротивлениях, магниторезистивных эффектах и темпеpатуpах фазовых переходов в керамике и пленке лазерного напыления объяснены различной нестехиометрией и дефектностью их стpуктуpы. Обнаруженные линейные зависимости r и Tms от P позволяют использовать манганит-лантановую керамику и пленку в качестве датчиков давления и темпеpатуpы.

The influence of the magnetic field strength (H=0,(H=0, 2, 4, 6, 8 kOe), high hydrostatic pressures (P=0−1.8 GPa),(P=0−1.8 GPa), and temperature (T=77−300 K)(T=77−300 K) on the resistivity ρ, magnetoresistance (ΔR/R₀), and phase transition temperatures in ceramic and thin-film samples of the lanthanum manganite La ₀,₉Mn₁,₁O₃±δ is investigated by x-ray-diffraction, magnetic, and resistive methods. It is found that with increasing HH and PP the resistivity decreases and the temperatures TmsTms of the metal-semiconductor phase transition and TpTp of the magnetoresistance peak increase. The differences in the resistivities, magnetoresistances, and phase transition temperatures in the ceramics and laser-deposited films are explained by their different nonstoichiometry and defect density. The observed linear dependence of ρ and TmsTms on PP suggests that lanthanum manganite ceramics and films could be used as pressure and temperature sensors.