Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorАщеулов, А.А.
dc.contributor.authorГодованюк, В.Н.
dc.contributor.authorДобровольский, Ю.Г.
dc.contributor.authorРюхтин, В.В.
dc.contributor.authorРоманюк, И.С.
dc.date.accessioned2017-07-17T14:43:32Z
dc.date.available2017-07-17T14:43:32Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractПредложены технические решения, обеспечивающие низкий уровень темновых токов и высокую надежность кремниевых p—i—n-фотодиодов.uk_UA
dc.description.abstractThe engineering decision which provides low level of durk currents and high reliability of silicon p-i-n-photocells have been proposed.uk_UA
dc.identifier.citationОптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току / А.А. Ащеулов, В.Н. Годованюк, Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, И.С. Романюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122685
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectКомпоненты для электронной аппаратурыuk_UA
dc.titleОптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому токуuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
06-Ascheulov.pdf
Розмір:
175.13 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 1999, № 1