Высокочастотный электронный ток через нестационарный туннельный переход

Abstract

Исследовано туннелирование электронов через нестационарный туннельный переход в режиме одноквантовых электронных переходов через потенциальный барьер. Учтено влияние теплового размытия энергии электронов в эмиттере и коллекторе на величину высокочастотного тока через нестационарный туннельный переход. Найдена зависимость высокочастотного электронного тока от частоты и приложенного постоянного напряжения смещения. Изучено влияние несимметричности потенциального барьера на величины активной и реактивной частей плотности высокочастотного электронного тока через нестационарный туннельный переход.The tunneling of electrons through a nonstationary tunneling junction in the framework of the one-quantum electron tunnel transition approximation is investigated. The effect of the thermal energy distribution of electrons in the emitter and collector of the tunnel junction is taken into account. The dependence of the high-frequency electron current on the frequency and applied dc bias voltage is found. The influence of the barrier asymmetry on the active and reactive parts of the high-frequency electron current is studiedДосліджено тунелювання електронів крізь неста- ціонарний тунельний перехід у режимі одноквантових електронних переходів крізь потенційний бар’єр. Враховано вплив теплового розмиття енергії електронів у емітері й колекторі на величину високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід. Знайдено залежність високочастотного електронного струму від частоти і прикладеної постійної напруги зміщення. Вивчено вплив несиметричності потенційного бар’єра на величини активної та реактивної частин щільності високочастотного електронного струму крізь нестаціонарний тунельний перехід.