Синтез и электрические свойства фаз высокого давления ErxCu3V4O12

dc.contributor.authorМельникова, Н.В.
dc.contributor.authorКадырова, Н.И.
dc.contributor.authorУстинова, И.С.
dc.contributor.authorЗайнулин, Ю.Г.
dc.contributor.authorБабушкин, А.Н.
dc.date.accessioned2010-02-12T17:54:37Z
dc.date.available2010-02-12T17:54:37Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractСинтезировано новое перовскитоподобное соединение Er0.73Cu3V4O12. Проведена рентгенографическая аттестация, исследованы электрические свойства в широкой области температур (78–300 K) и частот (200 Hz–200 kHz) при атмосферном давлении и при давлениях 15–42 GPa. Установлен полупроводниковый характер температурной зависимости удельной электропроводности в интервале температур 78–300 K. Анализ барических зависимостей комплексного сопротивления, комплексной проводимости, емкости и тангенса угла диэлектрических потерь указывает на возможность разупорядочения кристаллической структуры и изменения в поведении электрически активных комплексов при увеличении давления в интервале 27–29 GPa.uk_UA
dc.description.abstractСинтезовано нове перовскитоподібне з'єднання Er0.73Cu3V4O12. Проведено рентгенографічну атестацію, досліджено електричні властивості в широкій області температур (78–300 K) і частот (200 Hz–200 kHz) при атмосферному тиску і при тиску 15–42 GPa. Встановлено напівпровідниковий характер температурної залежності питомої електропровідності в інтервалі температур 78–300 K. Аналіз баричних залежностей комплексного опору, комплексної провідності, ємкості і тангенса кута діелектричних втрат указує на можливість розупорядкування кристалічної структури і зміни в поведінці електрично активних комплексів при збільшенні тиску в інтервалі 27–29 GPa.uk_UA
dc.description.abstractNew perovskite-like compound Er0.73Cu3V4O12 has been synthesized. X-ray diffraction experiments and certification have been performed, the electrical properties at temperatures between 78 and 300 K and in the frequency range between 200 Hz and 200 kHz at atmospheric pressure and at a pressure of 15–42 GPa have been investigated. Semiconductor type of the temperature dependence of conductivity in the range 78–300 K is established. The analysis of baric dependences of complex resistance, complex conductivity, capacitance and loss tangent of dielectric indicates a possibility of crystal structure disordering and changes in the behavior of electrically active complexes at pressure increase in the interval 27–29 GPa.uk_UA
dc.identifier.citationСинтез и электрические свойства фаз высокого давления ErxCu3V4O12 / Н.В. Мельникова, Н.И. Кадырова, И.С. Устинова, Ю.Г. Зайнулин, А.Н. Бабушкин // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 54-58. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0868-5924
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5983
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherДонецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleСинтез и электрические свойства фаз высокого давления ErxCu3V4O12uk_UA
dc.title.alternativeСинтез та електричні властивості фаз високого тиску ErxCu3V4O12uk_UA
dc.title.alternativeSynthesis and electrical properties of high-pressure phases ErxCu3V4O12uk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
08-Melnikova.pdf
Розмір:
358.44 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.82 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: