Магнітні тунельні контакти на основі стопу Гейслера Fe₂MnGa

Abstract

Було виготовлено та досліджено магнетні тунельні контакти (МТК), в яких феромагнетними електродами були плівки стопу Гойслера Fe₂MnGa та стопу Ni₈₀Fe₂₀; бар’єрним шаром між ними були плівки MgО. Показано, що структура плівок стопу Fe₂MnGa впливає на величину тунельного магнетоопору. Одержані величини магнетоопору при Т = 293 К (4—20%) відкривають перспективи практичного використання таких МТК як сенсорів магнетного поля.

Были изготовлены и исследованы магнитные туннельные контакты (МТК), в которых ферромагнитными электродами служили плёнки сплава Гейслера Fe₂MnGa и сплава Ni₈₀Fe₂₀; барьерным слоем между ними были плёнки MgO. Показано, что структура плёнок сплава Fe₂MnGa влияет на величину туннельного магнитосопротивления. Полученные величины магнитосопротивления при Т = 293К (4—20%) открывают перспективы практического использования таких МТК в качестве сенсоров магнитного поля.

Magnetic tunnel junctions (MTJ) with Heusler Fe₂MnGa-alloy and Ni₈₀Fe₂₀-alloy films as ferromagnetic electrodes and MgO-films as barrier layer are fabricated and investigated. As shown, the structure of Fe₂MnGa-alloy films effects significantly on the tunnel magnetoresistance value. Obtained values of tunnel magnetoresistance (4—20\%) at 293 K open the perspectives of practical applications of such MTJ as magnetic-field sensors.