Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBaranskii, P.I.
dc.contributor.authorGaidar, G.P.
dc.date.accessioned2017-06-14T15:15:49Z
dc.date.available2017-06-14T15:15:49Z
dc.date.issued2016
dc.description.abstractTensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants but under practically equal charge carrier concentrations have been investigated. The features of ρX /ρ₀ = f(X) function, which depend on individual physical-chemical properties of dopants, have been discussed in this paper.uk_UA
dc.identifier.citationFeatures of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants / P.I. Baranskii, G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 39-43. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherDOI: 10.15407/spqeo19.01.039
dc.identifier.otherPACS 61.82.Fk
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121522
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleFeatures of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopantsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
07-Baranskii.pdf
Розмір:
172.09 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016, № 1