Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника

Abstract

На основе соединений A²B⁶ создана пленочная In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточувствительная в диапазоне длин волн λ = 0,49–0,855 мкм при комнатных температурах. Новизной в устройстве является наличие твердых растворов соединений A²B⁶, что позволяет расширить диапазон спектральной чувствительности. При пропускном направлении тока (когда положительный потенциал “+V” приложен к Мо-контакту) структура ведет себя как фотоприемник с инверсией знака фототока I(λ) способного без помех эффективно регистрировать длины волн видимой области спектра. При обратных направлениях фототока структура работает в режиме внутреннего усиления первичного фототока и представляет собой основу для создания инжекционного фотоприемника с высокой спектральной фоточувствительностью в видимой области спектра. Выявлены механизмы усиления и инверсии фототока.

На основіз’єднань A²B⁶ створена плівкова Іn-n⁺ (CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mo-структура фоточутлива в діапазоні довжин хвиль λ = 0,49-0,855 напівтемних при кімнатних температурах. Новизною в пристрої є наявність твердих розчинів з’єднань A²B⁶, що дозволяє розширити діапазон спектральної чутливості. При пропускному напрямку струму (коли позитивний потенціал “+V” прикладений до Мо-контакту) структура поводиться як фотоприймач із інверсією знака фотоструму I(λ) здатного без перешкод ефективно реєструвати довжини хвиль видимої області спектра. При зворотних напрямках фотоструму структура працює в режимі внутрішнього посилення первинного фотоструму і являє собою основу для створення инжекционного фотоприймача з високою спектральною фоточутливістю у видимій області спектра. Виявлено механізми посилення й інверсії фотоструму.

Photosensitive film structure of A²B⁶ compounds In-n⁺(CdS)-n(CdSx Te1-x)-p(Znx Cd1-xTe)-Mois created for wave range λ = 0,49-0,855 јm and for work at room temperatures. Novelty of the de-vice is presence of solid solutions A²B⁶, that allows to expand its spectral sensitivity range. The structure behaves as the photoreceivers with inversion of mark of photocurrent I(λ) if positive potential “+V” is enclosed to Мо- to contact. The inversion structure capable effectively to register without handicapes different waves of the visible spectral range. The structure increases a primary photocurrent at reverse bias, when potential “−V” is applied to Mo- contact. In this case the structure is a basis for creation of injection photoreceiver, which has high spectral photosensitivity in the visible spectral range.