Получение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКовтун, Г.П.
dc.contributor.authorЩербань, А.П.
dc.contributor.authorГорбенко, Ю.В.
dc.contributor.authorПироженко, Л.А.
dc.contributor.authorЗеленская, В.И.
dc.contributor.authorБерингов, С.Б.
dc.contributor.authorВласенко, Т.В.
dc.contributor.authorШульга, Ю.Г.
dc.date.accessioned2015-05-13T19:02:59Z
dc.date.available2015-05-13T19:02:59Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractПроведен анализ особенностей системы Si–Ga в области низкого содержания галлия. Описаны методы легирования кремния галлием. Предложен способ получения галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием, используемой при получении монокристаллов кремния с заданными электрофизическими параметрами (ЭФП) для изделий солнечной энергетики.uk_UA
dc.description.abstractПроведено аналіз особливостей системи Si - Ga в області низького вмісту галію. Описані методи легування кремнію галієм. Запропоновано спосіб одержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремнієм, використовуваної при одержанні монокристалів кремнію з заданими електрофізичними параметрами (ЕФП) для виробів сонячної енергетики.uk_UA
dc.description.abstractThe analysis of features of system Si - Ga is carried out in the field of the low contents of a gallium. The methods of an alloying of silicon by a gallium are described. The method of obtaining of a gallium rich alloy on a base of silicon alloy, used at obtaining of silicon single crystals with the given electrophysical properties (EPP) for goods of solar power engineering.uk_UA
dc.description.sponsorshipАвторы выражают искреннюю благодарность Виричу В.Д. и Рыжовой Т.П. за проведение массспектрального анализа образцов сплавов кремния с галлием.uk_UA
dc.identifier.citationПолучение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремнием / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Ю.В. Горбенко, Л.А. Пироженко, В.И. Зеленская, С.Б. Берингов, Т.В. Власенко, Ю.Г. Шульга // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 30-33. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc669.782
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81253
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЧистые материалы и вакуумные технологииuk_UA
dc.titleПолучение галлиевой лигатуры на основе сплава с кремниемuk_UA
dc.title.alternativeОдержання галієвої лігатури на основі сплаву з кремніємuk_UA
dc.title.alternativeObtaining of the gallium rich alloy on the base of siliconuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
06-Kovtun.pdf
Розмір:
321.15 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2004, № 6