Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБелоус, А.И.
dc.contributor.authorЕфименко, С.А.
dc.contributor.authorКалошкин, Э.П.
dc.contributor.authorКарпов, И.Н.
dc.contributor.authorПономарь, В.Н.
dc.contributor.authorПрибыльский, А.В.
dc.date.accessioned2014-11-15T10:44:21Z
dc.date.available2014-11-15T10:44:21Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractУстановлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока утечки между коллектором и эмиттером отдельных транзисторов Шоттки из-за локальных смыканий эмиттерных областей транзистора с областью изолирующего диэлектрика. Предложен метод радиационно-термической отбраковки дефектных ИС с пониженной радиационной стойкостью. Выбраны оптимальные режимы обработки и восстановительного отжига, не ухудшающие надежностные характеристики ИС.uk_UA
dc.identifier.citationНовые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации / А.И. Белоус, С.А. Ефименко, Э.П. Калошкин, И.Н. Карпов, В.Н. Пономарь, А.В. Прибыльский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 23-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.3.04.774.3:539.16.04
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70836
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectКачество. Надежностьuk_UA
dc.titleНовые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиацииuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
04-Belous.pdf
Розмір:
216.47 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 2