Proximity phenomena in double-barrier structure NbZr/NbOₓ/Al/AlOy/NbZr

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPlecenik, A.
dc.contributor.authorGazi, S.
dc.contributor.authorZuzcak, M.
dc.contributor.authorBenacka, S.
dc.contributor.authorShaternik, V.
dc.contributor.authorRudenko, E.
dc.date.accessioned2018-06-19T18:54:52Z
dc.date.available2018-06-19T18:54:52Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractA tunneling structures NbZr/NbOₓ/Al/AlOy/NbZr with a thin barrier in the NbZr/NbOₓ/Al junction and 4 to 6-nm-thick Al interlayer were prepared and studied experimentally. A proximity effect between NbZr and Al through NbOₓ barrier has been observed. An electrical voltage was generated in the NbOx barrier and a coexistence of the proximity effect and applied voltage in the junction NbZr/NbOₓ/Al has been observed. This experiment could be described on the basis of a model for coherent charge transport in superconducting/normal proximity structures.uk_UA
dc.identifier.citationProximity phenomena in double-barrier structure NbZr/NbOₓ/Al/AlOy/NbZr / A. Plecenik, S. Gazi, M. Zuzcak, S. Benacka, V. Shaternik, E. Rudenko // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 10. — С. 1082-1086. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn0132-6414
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139060
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherФізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика низких температур
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectНизкоразмерные и неупорядоченные системыuk_UA
dc.titleProximity phenomena in double-barrier structure NbZr/NbOₓ/Al/AlOy/NbZruk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
13-Plecenik.pdf
Розмір:
186.85 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Физика низких температур, 1999, № 10