Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСиленко, П.М.
dc.contributor.authorШлапак, А.М.
dc.contributor.authorПилипчук, О.Ф.
dc.contributor.authorДьячков, П.М.
dc.contributor.authorСолонін, Ю.М.
dc.date.accessioned2011-03-05T23:19:18Z
dc.date.available2011-03-05T23:19:18Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractПроведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним.uk_UA
dc.identifier.citationВиготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issnXXXX-0048
dc.identifier.udc661.1:661.65:661.68:669.046
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/17690
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherІнститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleВиготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологіяuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
16-Silenko.pdf
Розмір:
380.59 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
929 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Электронная микроскопия и прочность материалов, 2009, вип. 16