Analysis of the secondary breakdown of semiconductor materials on the basis of the nonlinear thermal conductivity equation

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorAndreyeva, N.V.
dc.contributor.authorVirchenko, Yu.P.
dc.date.accessioned2018-06-14T08:43:40Z
dc.date.available2018-06-14T08:43:40Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractOn the basis of the Wagner approach in the theory of thermal breakdown of dielectrics, the analogous phenomenon in semiconductor films is analyzed. It is done without account of the stabilization effect connected with an external resistance. Formulas giving values of the fused channel diameters and the breakdown time are obtained.uk_UA
dc.description.abstractНа основе подхода Вагнера в теории теплового пробоя диэлектриков проанализировано явление теплового пробоя полупроводниковой пленки без учета эффекта стабилизации внешним сопротивлением. Получены формулы для диаметров проплавленных каналов и времени пробоя.uk_UA
dc.identifier.citationAnalysis of the secondary breakdown of semiconductor materials on the basis of the nonlinear thermal conductivity equation / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 190-195. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1027-5495
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/134780
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНТК «Інститут монокристалів» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofFunctional Materials
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleAnalysis of the secondary breakdown of semiconductor materials on the basis of the nonlinear thermal conductivity equationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
01-Andreyeva.pdf
Розмір:
77.55 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Functional Materials, 2005, № 2