Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals

dc.contributor.authorPopenko, N.
dc.contributor.authorIvanchenko, I.
dc.contributor.authorBrovenko, I.
dc.contributor.authorZhigalov, A.
dc.contributor.authorKarelin, S.
dc.contributor.authorGorbatyuk, I.
dc.contributor.authorOstapov, S.
dc.contributor.authorDremlyuzhenko, S.
dc.contributor.authorRarenko, I.
dc.contributor.authorZaplitnyi, R.
dc.contributor.authorFodchuk, I.
dc.contributor.authorDeibuk, V.G.
dc.date.accessioned2018-06-22T13:51:38Z
dc.date.available2018-06-22T13:51:38Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractА novel semiconductor solid solution HgCdMnZnTe containing up to 5 % of manganese and zinc has been studied. Microhardness of these crystals and galvanomagnetic characteristics have been measured out as well as the X-ray structure analysis thereof. The band-gap width, intrinsic charge carrier concentration and mobility have been determined. It is shown that the novel material has more perfect crystal structure as compared to HgCdTe. The obtained data allow announcing this material as an alternative one for manufacturing effective infrared detectors operating in the 3-5 µm and 8-14 µm spectral ranges.uk_UA
dc.description.abstractПредставлено результати дослiдження нового твердого розчину HgCdMnZnTe 3 вмiстом марганцю та цинку до 5 %. Проведенi дослiдження механiчних властивостей цих кристалiв та гальваномагнiтнi вимiрювання, а також зроблений їx рентгеноструктурний аналiз. Визначено ширину забороненої зони, концентрацiю та рухливiсть власних носiїв струму. Показано, що новий матерiал має бiльш досконалу кристалiчну структуру у порiвняннi 3 HgCdMnZnTe. Отриманi данi ДозволяютЬ зробити висновок про те, що даний матерiал може бути розглянутий як альтернативний при створеннi ефективних фотоприймачiв, що працюють у 3-5 мкм та 8-14 мкм спектральних дiапазонах.uk_UA
dc.description.abstractПредставлены результаты исследования нового полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe с содержанием марганца и цинка До 5 %. Проведены исследования механических свойств и гальваномагнитные измерения этих кристаллов, а также проведен их рентгеноструктурный анализ. Определены основные электрофизические параметры, такие как ширина запрещенной зоны, концентрация и подвижность собственных носителей заряда. Показано, что новый материал имеет более совершенную кристаллическую структуру по сравнению с HgCdTe. Полученные данные позволяют сделать вывод о том, что данный материал может рассматриваться как альтернативный при создании эффективных фотоприемников, работающих в спектральных диапазонах 3-5 мкм и 8-14 мкм.uk_UA
dc.identifier.citationSome characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals / N. Popenko, I. Ivanchenko, I. Brovenko, A. Zhigalov, S. Karelin, I. Gorbatyuk, S. Ostapov, S. Dremlyuzhenko, I. Rarenko, R. Zaplitnyi, I. Fodchuk, V.G. Deibuk // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 249-254. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1027-5495
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/140079
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНТК «Інститут монокристалів» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofFunctional Materials
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleSome characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystalsuk_UA
dc.title.alternativeДеякі характеристики напівпровідникового твердого розчину кристалів HgCdMnZnTeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
09-Popenko.pdf
Розмір:
263.41 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: