Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКовтун, Г.П.
dc.contributor.authorКравченко, А.И.
dc.contributor.authorКондрик, А.И.
dc.contributor.authorЩербань, А.П.
dc.date.accessioned2014-02-15T18:11:13Z
dc.date.available2014-02-15T18:11:13Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractЛучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса.uk_UA
dc.identifier.citationТехнологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56290
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы для микроэлектроникиuk_UA
dc.titleТехнологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральскогоuk_UA
dc.title.alternativeТехнологічні способи поліпшення теплового режиму вирощування кристалів GaAs за методом Чохральськогоuk_UA
dc.title.alternativeThe processes to improve the thermal mode of GaAs crystal growth by Czohralski methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
01-Kovtun.pdf
Розмір:
132.94 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004, № 6