The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors
dc.contributor.author | V'yunov, O.I. | |
dc.contributor.author | Kovalenko, L.L. | |
dc.contributor.author | Belous, A.G. | |
dc.date.accessioned | 2017-06-12T17:31:07Z | |
dc.date.available | 2017-06-12T17:31:07Z | |
dc.date.issued | 2003 | |
dc.description.abstract | Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system (Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance of grains, outer layers and grain boundaries, the values of temperature coefficient of resistance as well as the varistor effect as a function of manganese content of PTCR materials have been investigated. | uk_UA |
dc.description.abstract | Метою даної роботи було вивчення впливу йонів мангану на властивості областей ПТКО кераміки на основі (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃, що відрізняються за електричними властивостями. Було знайдено, що ріст вмісту мангану в кераміці на основі титанату барію збільшує опір границь і зовнішніх шарів зерен, але практично не змiнює опору зерен; при цьому потенціальний бар’єр на границях зерен зростає. Проведені дослідження ПТКО кераміки на основі титанату барію в широкому частотному і температурному інтервалах дозволяють стверджувати, що йони мангану знаходяться переважно на границях зерен і слабо впливають на опір зерен. Такий розподіл домішки мангану суттєво покращує властивості ПТКО матеріалів. | uk_UA |
dc.identifier.citation | The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1607-324X | |
dc.identifier.other | PACS: 61.66.Fn, 77.80.Bh, 78.40.Fy | |
dc.identifier.other | DOI:10.5488/CMP.6.2.213 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120701 | |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Condensed Matter Physics | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.title | The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors | uk_UA |
dc.title.alternative | Вплив ізовалентних заміщень і домішок 3d-металів на властивості сегнетоелектриків-напівпровідників | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 06-V'yunov.pdf
- Розмір:
- 243.09 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: