The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors

dc.contributor.authorV'yunov, O.I.
dc.contributor.authorKovalenko, L.L.
dc.contributor.authorBelous, A.G.
dc.date.accessioned2017-06-12T17:31:07Z
dc.date.available2017-06-12T17:31:07Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractElectrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system (Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance of grains, outer layers and grain boundaries, the values of temperature coefficient of resistance as well as the varistor effect as a function of manganese content of PTCR materials have been investigated.uk_UA
dc.description.abstractМетою даної роботи було вивчення впливу йонів мангану на властивості областей ПТКО кераміки на основі (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃, що відрізняються за електричними властивостями. Було знайдено, що ріст вмісту мангану в кераміці на основі титанату барію збільшує опір границь і зовнішніх шарів зерен, але практично не змiнює опору зерен; при цьому потенціальний бар’єр на границях зерен зростає. Проведені дослідження ПТКО кераміки на основі титанату барію в широкому частотному і температурному інтервалах дозволяють стверджувати, що йони мангану знаходяться переважно на границях зерен і слабо впливають на опір зерен. Такий розподіл домішки мангану суттєво покращує властивості ПТКО матеріалів.uk_UA
dc.identifier.citationThe effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1607-324X
dc.identifier.otherPACS: 61.66.Fn, 77.80.Bh, 78.40.Fy
dc.identifier.otherDOI:10.5488/CMP.6.2.213
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120701
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики конденсованих систем НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofCondensed Matter Physics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleThe effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductorsuk_UA
dc.title.alternativeВплив ізовалентних заміщень і домішок 3d-металів на властивості сегнетоелектриків-напівпровідниківuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
06-V'yunov.pdf
Розмір:
243.09 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: