Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K

Abstract

С помощью рентгеновского фазового и структурного, а также металлографического анализов построено изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системы Cr–Ga–Si при 870 K в полном концентрационном интервале. При температуре исследования тернарные соединения не образуются. Установлено существование и прецизионно определена область гомогенности твердого раствора замещения Cr₃Si₁–xGax (x = 0–0,357) по результатам уточнения кристаллографических параметров методом Ритвельда (структурный тип Cr₃Si, символ Пирсона cP8, пространственная группа 3 Pmn , a = 4,556–4,5844(7) Ǻ, RB = 0,0353, Rp = 0,009, Rwp = 0,014, χ² = 3,68) и металлографического анализа.

За результатами рентгенівського фазового та структурного, а також металографічного аналізів побудовано ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Cr–Ga–Si при 870 K в повному концентраційному інтервалі. При температурі дослідження тернарні сполуки не утворюються. Встановлено існування та прецизійно визначено область гомогенності твердого розчину заміщення Cr₃Si₁–xGax (x = 0–0,357) за результатами уточнення кристалографічних параметрів методом Рітвельда (структурний тип Cr₃Si, символ Пірсона cP8, просторова група 3 Pmn , a = 4,556–4,5844(7) Ǻ, RB = 0,0353, Rp = 0,009, Rwp = 0,014, χ² = 3,68) та металографічного аналізу.

Isothermal section of phase diagram of the Cr–Ga–Si system at 870 K was constructed in the whole concentration range using X-ray phase, structural and metallographic analyses of the synthesized alloys. Ternary compounds are not formed at the investigation temperature. The existence of the solid solution of substitution type, based on binary Cr3Si, was established and its homogeneity range (Cr₃Si₁–xGax, x = 0–0.357) was precisely determined by means of Rietveld refinement of the crystallographic parameters (structure type Cr₃Si, Pearson symbol cP8, space group 3 Pmn , a = 4.556–4.5844(7) Ǻ, RB = 0.0353, Rp = 0.009, Rwp = 0.014, χ² = 3.68) and metallographic analysis.