Подобие эффекта разупрочнения в сверхпроводящем состоянии в ВТСП и НТСП
dc.contributor.author | Лазарев, Б.Г. | |
dc.contributor.author | Стародубов, Я.Д. | |
dc.contributor.author | Сергеева, Г.Г. | |
dc.contributor.author | Лазарева, М.Б. | |
dc.contributor.author | Чиркина, Л.А. | |
dc.contributor.author | Оковит, В.С. | |
dc.contributor.author | Карасева, Е.В. | |
dc.contributor.author | Фролов, В.А. | |
dc.contributor.author | Чечкин, А.В. | |
dc.contributor.author | Петренко, В.Т. | |
dc.contributor.author | Тихоновский, М.А. | |
dc.date.accessioned | 2021-02-03T09:02:54Z | |
dc.date.available | 2021-02-03T09:02:54Z | |
dc.date.issued | 1996 | |
dc.description.abstract | Для двухфазной висмутовой керамики изучены скорость ползучести, особенности спектра внутреннего трения и сопротивления планарного контакта. Смещение пика в температурной зависимости скорости ползучести и особенностей сопротивления планарного контакта во внешнем магнитном поле свидетельствуют о влиянии на динамику дислокаций изменений в системе свободных носителей заряда в сверхпроводящем состоянии. Полученные результаты подтверждают высказанное ранее предположение о дислокационном механизме разупрочнения керамики в сверхпроводящем состоянии и не противоречат теории БКШ спаривания носителей зарядов. | uk_UA |
dc.description.abstract | Для двухфазно! вісмутової кераміки вивчено швидкість повзучості, особливості спектра внутрішнього тертя і опору планарного контакту. Зміщення піку на температурній залежності швидкості, повзучості та особливостей опору планарного контакту у зовнішньому полі свідчать при вплив змін у системі вільних носіїв заряду на динаміку дислокацій у надпровідному стані. Показано, що отримані результати підтверджують висловлене раніше припущення про дислокаційний механізм знеміцнення кераміки у надпровідному стані та не суперечать теорії БКШ спарювання носіїв заряду. | uk_UA |
dc.description.abstract | For 2223 and 2212 mixed phases of Bi-ceramics the creep rate, the peculiarities of the intrinsic friction and those of the planar contact resistance are studied. The peaks of the temperature dependences of the creep rate and the planar contact resistance are displaced under magnetic field. That is an indication of the influence of the variations in the free charge carriers system on the dislocation dynamics in superconducting state. These results confirm the supposition as to the dislocation mechanism of the softening effect in superconducting state and do not contradict to the BCS theory of the charge carriers pairing. | uk_UA |
dc.description.sponsorship | Работа поддержана Научным советом по проблеме ВТСП и выполнена в рамках проекта «Пластификация» Государственной программы «Высокотемпературная сверхпроводимость», а также Международным научным фондом Сороса (проект №U21L200). | uk_UA |
dc.identifier.citation | Подобие эффекта разупрочнения в сверхпроводящем состоянии в ВТСП и НТСП / Б. Г. Лазарев, Я.Д. Стародубов, Г.Г. Сергеева, М.Б. Лазарева, Л.А. Чиркина, В.С. Оковит, Е.В. Карасева, В.А. Фролов, А.В. Чечкин, В.Т. Петренко, М.А. Тихоновский // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 7. — С. 825-827. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 0132-6414 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176005 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Физика низких температур | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Структурные свойства при низких температурах | |
dc.title | Подобие эффекта разупрочнения в сверхпроводящем состоянии в ВТСП и НТСП | uk_UA |
dc.title.alternative | The effect similar to that of softening observed in the superconducting state of HTSC and LTSC | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 15-Lazarev.pdf
- Розмір:
- 520.53 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: