Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorGroza, A.A.
dc.contributor.authorVenger, E.F.
dc.contributor.authorVarnina, V.I.
dc.contributor.authorHoliney, R.Yu.
dc.contributor.authorLitovchenko, P.G.
dc.contributor.authorMatveeva, L.A.
dc.contributor.authorLitovchenko, A.P.
dc.contributor.authorSugakov, V.I.
dc.contributor.authorShmatko, G.G.
dc.date.accessioned2017-06-05T17:08:01Z
dc.date.available2017-06-05T17:08:01Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractProcesses of structure defects formation, which accompanied by oxygen precipitation after a neutron irradiation (10¹⁵- 10¹⁹ n/cm²) and high-temperature treatment (800 - 1000°С) in CZ silicon, were investigated by the transmission electron microscopy. Influence of the structure defects on electrooptical properties of silicon was revealed.uk_UA
dc.identifier.citationInfluence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon / A.A. Groza, E.F. Venger, V.I. Varnina, R.Yu. Holiney, P.G. Litovchenko, L.A. Matveeva, A.P. Litovchenko, M.I. Starchik, V.I. Sugakov, G.G. Shmatko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 152-155. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 61.82.F
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119263
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleInfluence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of siliconuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
02-Groza.pdf
Розмір:
191.38 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 3