Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKopyshinsky, A.V.
dc.contributor.authorZelensky, S.E.
dc.contributor.authorGomon, E.A.
dc.contributor.authorRozouvan, S.G.
dc.contributor.authorKolesnik, A.S.
dc.date.accessioned2017-05-31T05:25:26Z
dc.date.available2017-05-31T05:25:26Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractLaser-induced incandescence (LII) of silicon surface is investigated under the excitation by a Q-switched YAG:Nd laser. With the increase of laser irradiation dose, the increase of LII signal is observed, which is attended by visible changes of the surface geometry. The anomalous behavior of the parameter of non-linearity of LII is observed with the increase of laser excitation power.uk_UA
dc.identifier.citationLaser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation / A.V. Kopyshinsky, S.E. Zelensky, E.A. Gomon, S.G. Rozouvan, A.S. Kolesnik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 376-381. — Бібліогр.: 26 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 61.80.Ba, 81.40.Wx
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118730
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleLaser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
14-Kopyshinsky.pdf
Розмір:
4.49 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 4