Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБорисенко, А.Г.
dc.contributor.authorПолозов, Б.П.
dc.contributor.authorФедорович, О.А.
dc.contributor.authorБолтовец, Н.С.
dc.contributor.authorИванов, В.Н.
dc.contributor.authorСвешников, Ю.Н.
dc.date.accessioned2014-01-25T21:21:15Z
dc.date.available2014-01-25T21:21:15Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstractОписаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла.uk_UA
dc.identifier.citationПлазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия / А.Г. Борисенко, Б.П. Полозов, О.А. Федорович, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Ю.Н. Свешников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 42-46. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53683
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleПлазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлияuk_UA
dc.title.alternativeПлазмохімічне травлення епітаксійних структур нітріда галіюuk_UA
dc.title.alternativePlasmochemical etching of epitaxial nitride gallium structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
11-Borisenko.pdf
Розмір:
206.45 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 6