Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorАщеулов, А.А.
dc.contributor.authorДобровольский, Ю.Г.
dc.contributor.authorБезулик, В.А.
dc.date.accessioned2014-11-16T14:45:04Z
dc.date.available2014-11-16T14:45:04Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractПредставлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристаллических структур, характеризующихся нестабильностью энергетического состояния.uk_UA
dc.description.abstractThe action results on crystal structures of some appropriate geometry semiconductor devices of electric and magnetic fields for the purpose of correction of devices parameters on different process stages have been represented. It has been found that parameters change is exhibited in crystal structures characterized by runaway of energy state.uk_UA
dc.identifier.citationВоздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc537.312.5
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70913
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectКомпоненты для электронной аппаратурыuk_UA
dc.titleВоздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборовuk_UA
dc.title.alternativeВплив електричного та магнітного полів на параметри напівпровідникових приладівuk_UA
dc.title.alternativeThe action of electric and magnetic fields on parameters of semiconductor devicesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Ashcheulov.pdf
Розмір:
85.04 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 2000, № 1