Temperature effect on the characteristics and lifetime of semiconductor detectors

Abstract

The paper reports the results from studies into the effect of temperature on the performance characteristics of planar silicon detectors designed and manufactured at the NSC KIPT. A variety of techniques are demonstrated for measuring the temperature effect on various static and spectral characteristics of single-channel planar detectors. The relationship between the static characteristics of detectors and their long-term stability and lifetime is considered.

Приведены результаты исследования воздействия температуры на характеристики планарных кремниевых детекторов, спроектированных и изготовленных в ННЦ ХФТИ. Показан ряд методик, позволяющих проводить измерения влияния температуры на различные статические и спектральные характеристики одноканальных планарных детекторов. Рассматривается связь статических характеристик детекторов с долговременной стабильностью и временем жизни детекторов.

Приведені результати досліджень впливу температури на характеристики пласких кремнієвих детекторів, спроектованих та виготовлених у ННЦ ХФТІ. Продемонстровано ряд методик, які дозволяють проводити вимірювання впливу температури на різні статичні та спектральні характеристики одноканальних пласких детекторів. Розглянуто зв’язок статичних характеристик детекторів з довгостроковою стабільністю та часом життя детекторів.