Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГорев, Н.Б.
dc.contributor.authorКоджеспирова, И.Ф.
dc.contributor.authorПривалов, Е.Н.
dc.date.accessioned2014-01-08T21:40:03Z
dc.date.available2014-01-08T21:40:03Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractНапряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям.uk_UA
dc.identifier.citationПрогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52885
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЭлектронные средства: исследования, разработкиuk_UA
dc.titleПрогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAsuk_UA
dc.title.alternativeПрогнозування напруги відсічки іонно-імплантованих польових транзисторів з бар'єром Шотткі на GaAsuk_UA
dc.title.alternativePrediction of the threshold voltage of GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
01-Gorev.pdf
Розмір:
113.91 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007, № 6