Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВоронин, В.А.
dc.contributor.authorГуба, С.К.
dc.contributor.authorКурило, И.В.
dc.date.accessioned2014-01-03T23:10:53Z
dc.date.available2014-01-03T23:10:53Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractИсследованы технологические условия формирования перенасыщенной паровой фазы при низкотемпературной газотранспортной эпитаксии для выращивания гетеро- и наноструктур на основе соединений In1-xGax As, GaAs1-xPx.uk_UA
dc.identifier.citationХимическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 5. — С. 36-40. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52486
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleХимическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–Vuk_UA
dc.title.alternativeХімічне осадження з газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-Vuk_UA
dc.title.alternativeChemical deposition from gas phase of the hetero- and nanostructures of III-V compoundsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
06-Voronin.pdf
Розмір:
179.74 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008, № 5