Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge

Abstract

Results of experiments on obtaining nanocrystalline silicon films with the method of stimulated plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) into low frequency induction RF discharge (880 kHz) allowed in silicon tetrachloride diluted with hydrogen are presented. High rate value, as 2.41 nm/s, of silicon film deposition was achieved. X-ray diffraction phase-shift analysis was pursued, the value of unit spacing of crystalline lattice was determined and nanocrystalline silicon film structure was studied.

Представлены результаты исследований по получению пленок нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмохимического осаждения (СПХО) в низкочастотном индукционном ВЧ-разряде (880 кГц), возбуждаемом в тетрахлориде кремния (SiCl4), разбавленным водородом. Получена высокая скорость осаждения пленки кремния – 2,41 нм/с. Проведен рентгеноструктурный фазовый анализ, определена величина периода кристаллической решетки, исследована структура нанокристаллической пленки кремния.

Представлено результати досліджень по одержанню плівок нанокристалічного кремнію методом стимульованого плазмохімічного осадження (СПХО) в низькочастотному індукційному ВЧ-розряді (880 кГц), збудженим у тетрахлоріді кремнію (SіCl4), розведеним воднем. Одержано високу швидкість осадження плівки кремнію – 2,41 нм/с. Проведено рентгеноструктурний фазовий аналіз, визначено величину періоду кристалічної ґратки, досліджено структуру нанокристалічної плівки кремнію.