Optical properties of ion implanted thin Ni films on lithium niobate

dc.contributor.authorLysiuk, V.O.
dc.contributor.authorStaschuk, V.S.
dc.contributor.authorAndrosyuk, I.G.
dc.contributor.authorMoskalenko, N.L.
dc.date.accessioned2017-05-25T17:27:08Z
dc.date.available2017-05-25T17:27:08Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractIon implantation by keV Ar⁺ ions creates blisters on the surface of thin Ni films deposited on lithium niobate and causes changes in optical properties and structure of Ni film and lithium niobate substrate. Processes of ion implantation and effects of increasing absorption, adhesion, damage threshold are described and explained in the paper. Development of pyroelectric photodetector “thin Ni film – lithium niobate” is proposed.uk_UA
dc.description.sponsorshipThe work is a part of scientific research on topic “Optical and magneto-optical properties of surface layers and films with different type of conductivity”, registration number 06 БФ 051-10, 2006-2010.uk_UA
dc.identifier.citationOptical properties of ion implanted thin Ni films on lithium niobate / V.O. Lysiuk, V.S. Staschuk, I.G. Androsyuk, N.L. Moskalenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 1. — С. 59-61. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 68.Ln, 78.20.-e, 85.60.Gz
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117623
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleOptical properties of ion implanted thin Ni films on lithium niobateuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
09-Lysiuk.pdf
Розмір:
2.73 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: