Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния

dc.contributor.authorВикулина, Л.Ф.
dc.contributor.authorМарколенко, П.Ю.
dc.contributor.authorШевчук, О.Б.
dc.date.accessioned2014-11-18T06:57:51Z
dc.date.available2014-11-18T06:57:51Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractИсследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи тока и магниточувствительности. Экспериментально установлено, что гамма-излучение дозой 10⁷ Р увеличивает магниточувствительность в 3 раза, а облучение потоком нейтронов до 5·10¹² н/см² уменьшает ее в 2 раза.uk_UA
dc.description.abstractThe influence of radiation by neutron and gamma-ray quantum on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon has been investigated. It is shown that the radiation action is revealed itself basically in changing life time of charge carriers in the transistor base that causes changing its alpha coefficient and magnetosensitivity. It has been established experimentally that gamma-ray radiation by dose to 10⁷ roentgen increases magnetosensitivity a three times and radiation by neutrons flow to 5·10¹² n/sm² decreases it a two times.uk_UA
dc.identifier.citationДействие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.382
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70965
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнология производстваuk_UA
dc.titleДействие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремнияuk_UA
dc.title.alternativeВплив радіації на чутливість магнітотранзисторів з високоомного кремніюuk_UA
dc.title.alternativeThe radiation action on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity siliconuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
16-Vikulyna.pdf
Розмір:
123.37 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: