Электронно-топологический переход в сплавах Re₁–хMoх и его влияние на температуру сверхпроводящего перехода
dc.contributor.author | Игнатьева, Т.А. | |
dc.contributor.author | Великодный, А.Н. | |
dc.date.accessioned | 2017-06-08T07:54:58Z | |
dc.date.available | 2017-06-08T07:54:58Z | |
dc.date.issued | 2004 | |
dc.description.abstract | Исследованы особенности изменения температуры сверхпроводящего перехода Тс сплавов Re₁–хMoх в интервале концентраций C до 5 ат.% Mо (в пределах твердого раствора) под давлением Р до 10 кбар. Наблюдается нелинейное увеличение Тс до ≈5 К при добавлении примеси C ≈4,7 ат.% Mo с перегибом при C ≈2,35 ат.% Mo. Зависимость (∂Tc/∂P)(C) имеет минимум при той же концентрации Mo. Это свидетельствует о наличии критической энергии Ec < E⁰F в электронном спектре Re. Примесь Mo, электроотрицательная относительно Re, понижает энергию Ферми E⁰F Re и при пересечении Ec — вершины заполненной d-зоны, ниже уровня Ферми происходит электронно-топологический переход (ЭТП) под действием примеси Mo при концентрации C ≈2,35 ат.%. Минимум и асимметрия (1/Tc)( ∂Tc/∂P)(C) соответствуют появлению новой дырочной полости поверхности Ферми. На уровень Ферми выходят d-электроны с высокой плотностью электронных состояний, что дает существенный вклад в увеличение Тс. При количественном сравнении теории с экспериментом определено расстояние E⁰F Ec ≈ 0,017 эВ, а также другие параметры ЭТП. | uk_UA |
dc.description.abstract | Дослiджено особливості змінювання температури надпровідного переходу Тс сплавів Re₁–хMoх в інтервалі концентрацій C до 5 ат.% Mо (у межах твердого розчину) під тиском Р до 10 кбар. Спостерігається нелінійне збільшення Тс до ≈ 5 К при додаванні домішки C ≈ 4,7 ат.% Mo з перегином при C ≈ 2,35 ат.% Mо. Залежність (∂Tc/∂P)(C) має мінімум при цій же концентрації Mo. Це свідчить про наявність критичної енергії Ec < E⁰F в електронному спектрі Rе. Домішка Mo, електронегативна відносно Re, зменшує енергію Фермі EF 0 Re та при перетинанні Ec — вершини заповненої d-зони, нижче рівня Фермі здійснюється електронно-топологічний перехід (ЕТП) під дією домішки Mо при концентрації C ≈ 2,35 ат.%. Мінімум та асиметрія (1/Tc)(∂Tc/∂P)(C) відповідають появі нової діркової порожнини поверхні Фермі. На рівень Фермі виходять d-електрони з високою густиною електронних станів, що дає значний вклад у підвищення Тс. При кількісному порівнянні теорії з експериментом визначено віддаль E⁰F Ec ≈ 0,017 эВ, а також інші параметри ЕТП. | uk_UA |
dc.description.abstract | The peculiarities of superconducting transition temperature Tc in the Re₁–хMoх alloys of concentrations up to 5% (within the solid solution) have been studied under pressure P up to 10 kbar. A nonlinear increase of Tc to ≈ 5 K when adding the impurity of C ≈ 4.7 at.% Mo with a bend at C ≈ 2.35 at.% Mo is observed. The derivative (∂Tc /∂P)(C) has a minimum at the same Mo concentration. It evidences for the presence of critical energy Ec in the electronic spectrum of Re. The Mo impurity, being electron- negative relative to pure Re, produces a decrease in the Fermi energy E⁰F of Re. In the case of intersecting Ec (the top of a filled d-zone) lying below the Fermi level, there occur a electron- topological transition (ETT) at the Mo concentration of C ≈ 2.35 at.%. The minimum of (1/Tc)(∂Tc/∂P)(C) and the asymmetry of the derivative correspond to the appearance of a new hole-cavity at the Fermi surface. d-electrons with a high density of electronic states reach the Fermi level resulting in a considerable increase in Tc. The quantitative comparison of the theory and experiment was used to obtain the energy interval E⁰F - Ec of about 0.017 eV and to estimate other ETT parameters. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Электронно-топологический переход в сплавах Re₁–хMoх и его влияние на температуру сверхпроводящего перехода / Т.А. Игнатьева, А.Н. Великодный // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 5. — С. 523-534. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 0132-6414 | |
dc.identifier.other | PACS: 72.15.–v, 72.15.Jf, 74.62.Yb | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119721 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Физика низких температур | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.subject | Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная | uk_UA |
dc.title | Электронно-топологический переход в сплавах Re₁–хMoх и его влияние на температуру сверхпроводящего перехода | uk_UA |
dc.title.alternative | Electron-topological transition in Re1–xMox alloys and its influence on superconducting transition temperature | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 03-Ignateva.pdf
- Розмір:
- 204.13 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: