Проблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИС

dc.contributor.authorОсинский, В.И.
dc.contributor.authorОлексенко, П.Ф.
dc.contributor.authorПалагин, А.В.
dc.contributor.authorЗубарев, В.В.
dc.contributor.authorЛуговский, В.В.
dc.contributor.authorБондаренко, В.М.
dc.contributor.authorНиколаенко, Ю.Е.
dc.contributor.authorВербицкий, В.Г.
dc.contributor.authorВоронько, А.А.
dc.contributor.authorБобженко, С.В.
dc.contributor.authorМержвинский, А.А.
dc.date.accessioned2017-07-17T14:36:30Z
dc.date.available2017-07-17T14:36:30Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractПредставлены результаты многолетних исследований авторов по применению газофазной, молекулярно-лучевой и комбинированной эпитаксии из газового источника.uk_UA
dc.description.abstractThe results of the authors long-standing researchs by the application of gas-phase, molecular-beam and mixed epitaxy from gas source.uk_UA
dc.identifier.citationПроблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИС / В.И. Осинский, П.Ф. Олексенко, А.В. Палагин, В.В. Зубарев, В.В. Луговский, В.М. Бондаренко, Ю.Е. Николаенко, В.Г. Вербицкий, А.А. Воронько, С.В. Бобженко, А.А. Мержвинский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 3-17. — Бібліогр.: 71 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122680
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехническая политикаuk_UA
dc.titleПроблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИСuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
01-Osinsky.pdf
Розмір:
390.01 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: