Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии

Abstract

Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p⁺-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесценции таких структур имеют меньшую полуширину и более высокую мощность ИК-излучения, чем те, в которых (формируется р-п-переход в InGaAsP-слое. Гетероструктуры предназначены для создания эффективных ИК-светодиодов с длиной волны в максимуме спектра 1,06 мкм.

Отримано епітаксіальні гетеро структури р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в яких металургійна та електрична границі збігаються. Це досягається вирощуванням додаткового буферного шару n-InP і зменшенням часу вирощування емітерного p⁺-InP-шару, сильно легованого цинком. Спектри електролюмінесценції таких структур мають меншу напівширину та більш високу потужність ІЧ-випромінювання, ніж ті, в яких формується n-p-перехід в InGaAsP-шарі. Гетероструктури призначені для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з довжиною хвилі в максимумі спектра 1,06 мкм.

The double epitaxial р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and decreasing the time for growing an emitter p⁺-InP layer heavily doped by zinc. Electroluminescence spectra of such structures have a smaller half-width and the infrared radiation of higher power than the structures in which the n-p-junction is formed in the InGaAsP layer. These heterostructures are designed to create efficient IRLEDs with wavelength of 1,06 μm in spectrum maximum.