Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСидоренко, В.П.
dc.contributor.authorКизяк, А.Ю.
dc.contributor.authorНиколаенко, Ю.Е.
dc.date.accessioned2014-11-11T15:16:34Z
dc.date.available2014-11-11T15:16:34Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractРассмотрено влияние микродефектов, а также примесей кислорода и углерода в кремниевой подложке на пробивное напряжение неуправляемого n⁺⁺-p⁺-перехода. Кратко рассмотрен механизм влияния примеси кислорода на тип пробоя. Рассмотрены возможности практического использования результатов данной работы в технологии изготовления СБИС.uk_UA
dc.identifier.citationВлияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n⁺⁺-p⁺-перехода / В.П. Сидоренко, А.Ю. Кизяк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 56-58. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.315.592
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70724
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectИнтегральные схемы и полупроводниковые приборыuk_UA
dc.titleВлияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-переходаuk_UA
dc.title.alternativeВилив кремнієвої підкладинки на пробивну напругу розгалуженого n⁺⁺-p⁺-переходуuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
17-Sidorenko.pdf
Розмір:
97.02 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 6