Формирование элементного состава гетероструктур A³B⁵ при эпитаксиииз ионизированных потоков

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВербицкий, В.Г.
dc.contributor.authorОсинский, С.В.
dc.date.accessioned2016-04-15T07:22:43Z
dc.date.available2016-04-15T07:22:43Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractПриведены результаты исследований процессов формирования атомного состава нанослоев соединений А³В⁵ и их твердых растворов при молекулярно-лучевой эпитаксии из ионизированных потоков. Показана важная роль одновременной ионизации как элементов А³ , так и элементов В⁵ для компьютерного управления составом интерфейсов и нанослоев гетероструктурuk_UA
dc.description.abstractНаведені результати досліджень процесів формування атомного складу наношарів сполук А³В⁵ і їх твердих розчинів при молекулярно-променевій епітаксіїзіонізованих потоків. Показана важлива роль одночасної іонізації як елементів А³ , так і елементів В⁵ для комп’ютерного управління складом інтерфейсів і наношарів гетероструктур.uk_UA
dc.description.abstractThe results of researches of formation processes of the atomic composition of A³B⁵ nanolayers in Molecular Beam Epitaxy from ion beams. It is shown important role of simultaneous ionization A³ and B⁵ elements for computer formation of composition of heterostructure interfaces and nanolayers.uk_UA
dc.identifier.citationФормирование элементного состава гетероструктур A³B⁵ при эпитаксиииз ионизированных потоков / В. Г. Вербицкий,С.В. Осинский // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 49–53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1999-8074
dc.identifier.udc537.534.2
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98474
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизическая инженерия поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleФормирование элементного состава гетероструктур A³B⁵ при эпитаксиииз ионизированных потоковuk_UA
dc.title.alternativeФормування елементного складу гетероструктур A³B⁵ при епітаксії з іонізованих потоківuk_UA
dc.title.alternativeFormation of atomic composition of A³B⁵ heterostructures at ionized beam epitaxyuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
7-Verbitsky.pdf
Розмір:
249.19 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Физическая инженерия поверхности, 2004, № 1-2