О спектре электромагнитных волн в одномерном дефектном фотонном кристалле, граничащем с проводящей средой

Abstract

Настоящая работа посвящена исследованию эффекта резонансного взаимодействия плазменных и дефектных электромагнитных волн в одномерных дефектных фотонных кристаллах, граничащих с проводящей средой при условии, что дефектный слой является плазмоподобным. Показано, что наилучшие условия для наблюдения эффекта резонансного взаимодействия плазменных и дефектных мод имеют место в случае, когда дефектный фотонный кристалл граничит с полупроводниковой плазмой, а величина диэлектрической проницаемости дефектного слоя является положительной и имеющей промежуточное значение между диэлектрическими проницаемостями двух слоев элементарной ячейки фотонного кристалла. Полученные результаты имеют важное прикладное значение для создания новых устройств микроэлектроники и фотоники

Ця робота присвячена вивченню ефекту резонансної взаємодії плазмових і дефектних електромагнітних хвиль в одновимірних дефектних фотонних кристалах, що межують з провідним середовищем за умови, що дефектний шар є плазмоподібним. Виявлено, що найкращі умови для спостереження ефекту резонансної взаємодії плазмових і дефектних мод мають місце, коли дефектний фотонний кристал межує з напівпровідниковою плазмою, а величина діелектричної проникності дефектного шару є додатною і має проміжне значення між величинами діелектричної проникності двох шарів елементарної ланки фотонного кристала. Отримані результати мають важливе прикладне значення для створення нових приладів мікроелектроніки та фотоніки.

This paper is devoted to the study of the effect of resonant interaction of plasma and defective electromagnetic waves in onedimensional defective photon crystals bordering on a conducting medium subject to the condition that the defective layer is plasma like. It is shown that the best conditions for observing the effect of resonant interaction of plasma and defective electromagnetic waves take place in the case when the defective photon crystal borders on the semiconductor plasma and the magnitude of the dielectric permeability of the defective layer is positive and having an intermediate value between the values of the dielectric permeability of two layers of a unit cell of the photon crystal. The obtained results are of great practical importance for developing new devices of microelectronics and photonics.