Структура и электрофизические свойства композита алмаз–графен–карбид кремния

Abstract

Изучено влияние добавки n-слойного графена Gn(4) и нанокарбида кремния при спекании в условиях высокого давления и высокой температуры с пропиткой шихты кремнием на структуру и электрофизические свойства алмазного композита.

Вивчено вплив добавки n-шарового графена Gn(4) і нанокарбіда кремнію при спіканні в умовах високого тиску й високої температури з просоченням шихти кремнієм на структуру та електрофізичні властивості алмазного композита.

The effect of the addition of n-layer graphene Gn(4) and silicon nanocarbide on sintering under the conditions of HPNT with impregnation of silicon charge on the structure and electrophysical properties of the diamond composite was studied.