Фононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости

dc.contributor.authorДьяченко, А.И.
dc.contributor.authorСвистунов, В.М.
dc.date.accessioned2021-02-03T18:20:39Z
dc.date.available2021-02-03T18:20:39Z
dc.date.issued1996
dc.description.abstractПрямым решением уравнений Элиашберга исследовано, насколько эффекты анизотропии влияют на фононную структуру в производной d²I/dV² туннельного тока. Проанализировано s- и d-спаривание, а также влияние примесного рассеяния. Показано, что при сильной анизотропии энергетической щели сверхпроводника Δ(k) фононная структура в остается «изотропной» и должна наблюдаться при eV = Tω> + (А) , где ω — частота фононной особенности, а эффективная щель (Δ) близка к максимальной величине Δ(к). Факторы, размывающие фононную структуру, можно учесть, заменяя в формуле Дайнса для N(ω, Г) комплексный параметр энергетической щели Δ(о>) на Δ(ω + iТ).uk_UA
dc.description.abstractПрямим рішенням рівнянь Еліашберга досліджено, наскільки ефекти анізотропії впливають на фононну структуру в похідній d²I/dV² тунельного струму. Проаналізовано s- і d-спарювання, а також вплив доміш-кового розсіяння. Показано, що при сильній анізотропії енергетичної щілини надпровідника Δ(к) фононна структура в d²I/dV² залишається «ізотропною» і повинна спостерігатися при eV = eV = Tω> + (Δ), де ω — частота фононної особливості, а ефективна щілина (Δ) близька до максимальної величини Д(к). Фактори, які розмивають фононну структуру, можна урахувати, замінюя в формулі Дайнса для N(w, Г) комплексний параметр енергетичної щілини Δ(ω) на Д(ω + iГ).uk_UA
dc.description.abstractThrough a direct solution of the Eliashberg equations it is studied how much the anisotropy effects impact on the reflection of the phonon structure in the derivative d²I/dV² of the tunnel current. The s- and d-pairing, as well as the impurity scattering influence, are analysed. It is shown that with strong anisotropy of the energy gap Δ(k) of the superconductor, the phonon structure remains «isotropic» in the d²I/dV² and is expected eV =Tω> + (Δ), where ш is the frequency of the phonon feature, and the effective gap (Δ) is close to the maximum value Δ(k). The factors responsible for smearing of the phonon structure can be taken into account replacing the complex parameter of the energy gap Δ(ω) by Δ(ω + iT) in the Dynes formula for N(ω, Г).uk_UA
dc.description.sponsorshipРабота выполнена в рамках проектов «Сэндвич» и «Экситон», поддержанных Государственным комитетом Украины по вопросам науки и технологий и Комитетом Сороса по индивидуальным грантам (АИД) и грантом ISSEP SPU 042058 (ВМС).uk_UA
dc.identifier.citationФононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимости / А.И. Дьяченко, В.М. Свистунов // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 547-550. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0132-6414
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/176133
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherФізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика низких температур
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectСпециальный выпуск Международная конференция "Сверхпроводимость. Физические аспекты"uk_UA
dc.titleФононная структура в туннельной проводимости - возможный ключ к механизму высокотемпературной сверхпроводимостиuk_UA
dc.title.alternativePhonon structure in tunnel conductivity as a possible key to high-Tc superconductivity mechanismuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
16-Dyachenko.pdf
Розмір:
662.47 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: