Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМелебаев, Д.
dc.contributor.authorМелебаева, Г.Д.
dc.contributor.authorРудь, Ю.В.
dc.contributor.authorРудь, В.Ю.
dc.date.accessioned2014-01-07T18:49:44Z
dc.date.available2014-01-07T18:49:44Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractСозданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью.uk_UA
dc.identifier.citationНовые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52810
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleНовые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAsuk_UA
dc.title.alternativeНові можливості фотоелектричного метода визначення висоти бар’єра у структурах Au–n-GaAsuk_UA
dc.title.alternativeNew possibilities of photoelectric method of determination barrier height in structures Au–n-GaAsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
07-Melebaev.pdf
Розмір:
143.71 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007, № 3