Аномалии электронных свойств интерфейса ВТСП–металл в интервале температур 300…4,2 К

Abstract

Установлено, что температурная зависимость электросопротивления rС интерфейса между керамикой BiSrPbCaCuO (ВТСП⁺) и Pb (Ме⁻) имеет в области нормальной проводимости особенности, которые в рамках представлений о локальных парах можно интерпретировать как указания на: 1) открытие псевдощелей присутствующих в образце фаз (Т*₂₂₁₂≈193 К и Т*₂₂₂₃≈155 К); 2) распад локальных пар (Т≈130 К); 3) начало флуктуационного куперовского спаривания (ТСf≈119 К). Ниже ТС характер зависимости rС(Т) изменяется с металлического на полупроводниковый, с чем коррелирует изменение характера скорости ползучести dε/dt(Т) в условиях осевого сжатия. Факт корреляции объемной и поверхностной характеристик свидетельствует в пользу скейлингового соответствия электронных конфигураций (ЭК) интерфейса ВТСП⁺ −Ме− и массива ВТСП⁺.

Встановлено, що температурна залежність електроопору rС інтерфейсу між керамікою BiSrPbCaCuО і Pb має в області нормальної провідності особливості, які в рамках подань про локальні пари можна інтерпретувати, як вказівки на: 1) відкриття псевдощілин присутніх у зразку фаз (Т*₂₂₁₂≈193 К и Т*₂₂₂₃≈155 К); 2) розпад локальних пар (Т ≈ 130 К); 3) початок флуктуаційного куперівського парування (ТСf ≈ 119 К). Нижче ТС характер залежності rС(Т) змінюється з металевого на напівпровідниковий, із чим корелює зміна характеру швидкості повзучості dε/dt(Т) в умовах осьового тиску. Факт кореляції об'ємної й поверхневої характеристик свідчить на користь скейлінгової відповідності електронних конфігурацій інтерфейсу ВТСП⁺–Ме⁻ і масиву ВТНП⁺.

It is established that temperature dependence of electroresistance rС of the interface between ceramics BiSrPbCaCuO and Pb has in normal state the features which in framework about of local pairs representations it is possible to interpret as indications on: 1) pseudogap regime opening of the phases sample (Т*₂₂₁₂≈193 К и Т*₂₂₂₃≈155 К); 2) local pairs disintegration (Т ≈ 130 К) and 3) fluctuation Cooper’s pairing beginning (ТСf ≈ 119 К). The dependence rС(Т) character changes from metallic to semiconducting below TC what correlates to change of creep speed dε/dt(Т) character in conditions of axial compression. The fact of volumetric and superficial characteristics correlations testifies for benefit of scaling conformity of electronic configurations of interface HTSC⁺–Ме⁻ and of massif HTSC⁺.