Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик

Abstract

При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента для сухого травления предлагается использовать пучок нейтральных частиц, который образуется в результате гетерогенной нейтрализации медленных ионов при отражении от поверхности плоскопараллельных проводящих пластин. Исследованы скорость травления кремниевых образцов и степень нейтрализации потока. Было показано, что при отражении ионов от поверхности под углом 5° подавляющая часть из них нейтрализуется.

При іонно-променевому травленні діелектричних зразків через маску субмікронних розмірів заряд на поверхні спричиняє викривлення траєкторії іонів, що призводить до неможливості одержання дрібніших мікроструктур. У роботі, для сухого травлення, пропонується використовувати пучок нейтральних часток, що утворюється в результаті гетерогенної нейтралізації повільних іонів при їх відбитті від поверхні плоскопаралельних провідних пластин. Досліджено швидкість травлення зразків оксиду кремнію і ступінь нейтралізації потоку. Встановлено, що при відбитті іонів від поверхні під кутом 5° більша частина їх нейтралізується.

During ion beam etching of dielectric samples through a mask of submicron size surface charge causes ion trajectory deviation which makes receiving smaller microstructures impossible. In this work beam of neutral particles is proposed as an instrument for dry etching which is formed due to reflection from a set of parallel conductive plates. Degree of neutralization was studied, as well as the energy of the obtained flux. It was shown that during ion reflection at the angle 5° with the surface most of them neutralized.