Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПрохоров, Э.Д.
dc.contributor.authorБоцула, О.В.
dc.contributor.authorКлименко, О.А.
dc.contributor.authorСтороженко, И.П.
dc.date.accessioned2016-09-12T19:09:36Z
dc.date.available2016-09-12T19:09:36Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractИсследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами (РТГ) в структурах типа «сэндвич» на основе GaAs. Рассмотрены одно- и двухуровневые модели РТГ. Оценен частотный предел работы диодов с РТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с РТГ в диапазоне несколько десятков гигагерц.uk_UA
dc.description.abstractДосліджено вольтамперні характеристики та ефективність генерації діодів з резонансно-тунельними межами (РТМ) в структурах типу «сандвич» на основі GaAs. Розглянуто одно- і дворівневі моделі РТМ. Оцінено частотну межу роботи діодів з РТМ. Показано можливість генерації гармонік і множення частоти на діодах з РТМ у діапазоні кілька десятків гігагерц.uk_UA
dc.description.abstractWe study the current-voltage characteristics and the efficiency of generation diodes with resonant-tunnel boundaries in the structures of the «sandwich» type based on GaAs. We consider single-level and two-level model of the resonant-tunnel border. Frequency limit of the diode with resonant-tunnel border was estimated. A possibility of harmonic generation and frequency multiplication of the diodes with resonant tunnel border in the range of tens to hundreds of GHz was shown.uk_UA
dc.identifier.citationЭффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко, И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 72-78. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1028-821X
dc.identifier.udc621.382.2
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/105898
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofРадіофізика та електроніка
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectВакуумная и твердотельная электроникаuk_UA
dc.titleЭффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-вариантеuk_UA
dc.title.alternativeЭффективність генерації діодів з резонансно-тунельними межами в «сандвич»-варіантіuk_UA
dc.title.alternativeEfficiency of diodes generation with resonant-tunnel boundaries in the structures of the «sandwich» typeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
11-Prokhorov.pdf
Розмір:
369.32 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Радіофізика та електроніка, 2012, № 3