Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів

Abstract

Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення мезаструктур в p—n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повторна хімічна обробка мезаструктур у протравлювачу на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на ВАХ переходів. Показано, що темновий струм в p—n-переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур в інтервалі температур 160—298 К зумовлений процесами генерації та рекомбінаціїї носіїв в ОПЗ, а за температур менших ніж 160 К — тунелюванням за участю дислокацій.

The effect of surface conductivity on electrical properties of linearly-graded mesastructure InAs p—n junctions prepared by diffusion method is investigated. It is established that mesatructures prepared by chemical etching in 2 % Br₂+HBr etchant result in shunt surface conductivity. After the repeafed chemical treatment in the etchant based on nitric acid the dark current is decreased substantially. It is shown, that the dark current in these mesastructures is determined by generation and recombination processes in the depletion region at temperatures of 160—298 К, while at temperatures lower than 160 K it is determined by tunneling caused by dislocations.