Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBryksa, V.P.
dc.contributor.authorTarasov, G.G.
dc.contributor.authorMasselink, W.T.
dc.contributor.authorNolting, W.
dc.contributor.authorMazur, Yu.I.
dc.contributor.authorSalamo, G.J.
dc.date.accessioned2017-05-28T18:57:55Z
dc.date.available2017-05-28T18:57:55Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractNovel model of the diluted magnetic semiconductors (DMS) А₁₋xMnxВ possessing the metallic conductivity is proposed. Using the coherent potential technique the electron scattering by the randomly distributed Mn centers is taken into account. The exchange scattering of the electron spin by the localized magnetic mo exactly basing on the spin-polaron limit for the Vonsovskii Hamiltonian.uk_UA
dc.identifier.citationDiluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors / V.Р. Bryksa, G.G. Tarasov, W.T. Masselink, W. Nolting, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 42 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 72.15.Gd; 72.20.Му; 73.61.Ga
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118155
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleDiluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
01-Briksa.pdf
Розмір:
194.02 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 2