Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСветличный, А.М.
dc.contributor.authorАгеев, О.А.
dc.contributor.authorШляховой, Д.А.
dc.date.accessioned2014-11-15T16:39:53Z
dc.date.available2014-11-15T16:39:53Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractРассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки.uk_UA
dc.identifier.citationОсобенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc539.216.2.002—546.28
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70875
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнология производстваuk_UA
dc.titleОсобенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработкиuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
10-Svetlichny.pdf
Розмір:
163.3 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 4-5