Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKonakova, R.V.
dc.contributor.authorMilenin, V.V.
dc.contributor.authorVoitsikhovskyi, D.I.
dc.contributor.authorKamalov, A.B.
dc.contributor.authorKolyadina, E.Yu.
dc.contributor.authorLytvyn, P.M.
dc.contributor.authorLytvyn, O.S.
dc.contributor.authorMatveeva, L.A.
dc.contributor.authorProkopenko, I.V.
dc.date.accessioned2017-06-06T13:08:26Z
dc.date.available2017-06-06T13:08:26Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractFor TiBx film ~50 nm thick formed by magnetron sputtering from a pressed target onto the <100> GaAs substrate we experimentally revealed lateral nonuniformity ordering at microwave irradiation (frequency of 2.45 GHz, illuminance of 1.5 W/cm²). This correlates with improvement of the TiBx-n-n⁺-GaAs diode structure parameters after similar microwave treatment.uk_UA
dc.identifier.citationOrdering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system / R.V. Konakova, V.V. Milenin, D.I. Voitsikhovskyi, A.B. Kamalov, E.Yu. Kolyadina, P.M. Lytvyn, O.S. Lytvyn, L.A. Matveeva, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 298-300. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 61.76.C, 73.40.K, 84.40
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119331
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleOrdering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs systemuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
10-Konakova.pdf
Розмір:
165.37 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 4