Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой

dc.contributor.authorСеменов, А.А.
dc.contributor.authorУсанов, Д.А.
dc.contributor.authorКолокин, А.А.
dc.date.accessioned2013-12-06T21:29:24Z
dc.date.available2013-12-06T21:29:24Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractПредложена теоретическая модель плоской пассивной катушки индуктивности с элект-ронным управлением. Приведены расчетные графики зависимости добротности и индуктивности колебательного контура от напряжения прямого смещения n—i—p—i—n-структуры, используемой в качестве специфического сердечника, свойства которого изменяются под воздействием приложенного электрического поля. Сравнение расчетных значений с экспериментальными показало их хорошее соответствие друг другу.uk_UA
dc.description.abstractЗапропоновано теоретичну модель плоскої пасивної котушки індуктивності з електронним управлінням.Наведено розрахункові графіки залежності добротності та індуктивності коливального контуру від напруги прямого зміщення n—i—p—i—n-структури, що використовується як специфічне осердя, властивості якого змінюються під дією прикладеногоелектричного поля. Порівняння розрахованих значень з експериментальними показало їх добру відповідність одне одному.uk_UA
dc.description.abstractA theoretical model of a passive flat inductor with electronic control is offered. Design charts of tank inductance and Q factor dependence on the forward bias voltage of n—i—p—i—n-structure, used as a specific core, the characteristics of which are regulated under the influence of an applied electric field, are presented. The comparison of design values with experimental features has shown their good correspondence with each other.uk_UA
dc.identifier.citationИндуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой / А.А. Семенов, Д.А. Усанов, А.А. Колокин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.38.049.77
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51696
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleИндуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структуройuk_UA
dc.title.alternativeІндуктивність, що електрично перестроюється напівпровідниковою структуроюuk_UA
dc.title.alternativeInductance, electrically adjusted by semiconductor structureuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
08-Semenov.pdf
Розмір:
127.66 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: