Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКулинич, О.А.
dc.contributor.authorЯцунский, И.Р.
dc.contributor.authorЕштокина, Т.Ю.
dc.contributor.authorБрусенская, Г.И.
dc.contributor.authorМарчук, И.А.
dc.date.accessioned2013-12-06T14:58:32Z
dc.date.available2013-12-06T14:58:32Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractПоказана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.uk_UA
dc.description.abstractПоказано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом.uk_UA
dc.description.abstractThe possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.uk_UA
dc.identifier.citationФотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc537.311.33:622.382.33
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51670
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы электроникиuk_UA
dc.titleФотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»uk_UA
dc.title.alternativeФотолюмінесцент ний метод дослідження пластичної деформації на границі поділу «SiO₂—Si»uk_UA
dc.title.alternativePhotoluminescent method for studying the plastic deformation at the boudary of «SiO₂—Si»uk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
10-Kulinich.pdf
Розмір:
243.25 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, № 2