Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів
| dc.contributor.author | Венгер, Є.Ф. | |
| dc.contributor.author | Голотюк, В.М. | |
| dc.contributor.author | Горбач, Т.Я. | |
| dc.contributor.author | Панін, А.І. | |
| dc.contributor.author | Смертенко, П.С. | |
| dc.date.accessioned | 2017-05-14T12:20:51Z | |
| dc.date.available | 2017-05-14T12:20:51Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | Досліджено морфологічні, фотоелектричні, оптичні та фотовольтаїчні властивості n+–p–p+-структур сонячного елемента та поверхні кремнію, які обумовлено формуванням гібриду органіка–кремній. Органічний шар утворювався хімічним осадженням з водного розчину новокаїнаміду за кімнатної температури. Показано, що унаслідок сенсибілізації та функціоналізації Si-поверхні органічною плівкою коефіцієнт корисної дії (ККД) в n⁺–p–p⁺-Si-структурі промислового сонячного елемента збільшувався з 15,7 до 16,66 %. На n-Si створено органічно-неорганічний гібрид з ККД до 5 % і фотолюмінесцентними характристиками. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Increase of efficiency of the commercial solar cell structure approaching 16,66 % in comparison with 15,70 % is realized using chemical deposition in aqueous solution of the medical drug of novocainavide at room temperature. It is shown that the functionalization of n-Si-surface permits to create the organic - inorganic hybrid with efficiency up to 5 %, photovoltaic and photoluminescence properties. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів / Є.Ф. Венгер, В.М. Голотюк, Т.Я. Горбач, А.І. Панін, П.С. Смертенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 59-63. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 0233-7577 | |
| dc.identifier.udc | 537.312.5; 621.383 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116716 | |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.title | Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів | uk_UA |
| dc.title.alternative | Sensitization and Functionalization of Surfase and Structures of Si Solar Cells | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: