Получение тетрафторидов циркония и гафния высокой чистоты методом вакуумной сублимации

dc.contributor.authorШаталов, В.В.
dc.contributor.authorКоцарь, М.Л.
dc.contributor.authorБатеев, В.Б.
dc.contributor.authorФедоров, В.Д.
dc.contributor.authorЛиндт, К.А.
dc.contributor.authorМухачев, А.П.
dc.contributor.authorШепелев, Ю.П.
dc.date.accessioned2015-03-13T06:22:25Z
dc.date.available2015-03-13T06:22:25Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractИзложены расчетные и экспериментальные результаты очистки тетрафторидов циркония (ТФЦ) и гафния (ТФГ) методом вакуумной сублимации. В ходе экспериментов получены зависимости удельной скорости испарения ТФЦ и ТФГ от температуры и чистоты тетрафторидов по содержанию металлических примесей от удельной скорости их испарения, а также содержания железа в ТФГ от температуры и числа сублимаций. На основании проведенных исследований рекомендованы способы повышения качества и стабильности состава ТФЦ и ТФГ.uk_UA
dc.identifier.citationПолучение тетрафторидов циркония и гафния высокой чистоты методом вакуумной сублимации / В.В. Шаталов, М.Л. Коцарь, В.Б. Батеев, В.Д. Федоров К.А. Линдт, А.П. Мухачев, Ю.П. Шепелев // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 5. — С. 25-29. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc669.296+669.297
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78226
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЧистые материалы и вакуумные технологииuk_UA
dc.titleПолучение тетрафторидов циркония и гафния высокой чистоты методом вакуумной сублимацииuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
05-Shatalov.pdf
Розмір:
741.88 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: